行业内普遍的看法是，浸润式DUV光刻机即便再先进，也仅能制造到7纳米级别的芯片，而在技术路线向更小工艺节点迈进时，就必须采用EUV光刻机了。
举例来说，即便台积电的第一代7纳米芯片确实出自DUV光刻机，但到了第二代7纳米，就改用上了EUV。之所以要转用EUV，根本原因在于DUV即便能制造出7纳米芯片，也面临多重困境。首先，需要多次曝光，导致工序极为繁复，不仅耗时远长，良率也难以保证，成本问题上更是居高不下。
将目光投向5纳米、3纳米等更先进的工艺节点，用DUV来尝试制造，理论上是有可能性的，但现实中却困难重重。这是因为曝光次数大幅增加，制造难度呈几何级数增长，最终造成的后果就是良率进一步跌落，成本完全失控。即便勉强生产出来，按照传统的晶体管微缩策略，使用DUV制造5纳米或3纳米芯片，即便技术上可行，也没有任何企业能负担得起，其成本已经高到令人望而却步的地步。
这也正是美国选择禁售EUV光刻机的原因所在，因为美国并不担忧对手用DUV光刻机制造5纳米、3纳米芯片。如果对手真的能生产出来，并且负担得起，那又何妨，美国并不介意。因为在这种情况下，芯片根本不具备市场竞争力。
然而，美国未曾料到的是，我们没有按他们的剧本来演。华为提出了“韬定律”，这是华为在过去六年时间内，基于381颗芯片量产经验而总结出的策略。华为认为，虽然用EUV光刻机微缩晶体管确实是未来方向之一，但若缺乏EUV技术，晶体管微缩道路受阻时，也并非绝路，完全可以探索另一条途径。
华为所提出的新路径是，通过从底层器件到顶层系统的全面优化，缩短信号传输和处理时间，以此提升芯片整体性能。在系统层面，通过压缩各层级的时延，可有效提高信号传输效率，进而实现性能飞跃。为了达成此目标，华为研发了逻辑折叠技术，将晶体管进行立体布局排列，这种方式也能带来与微缩晶体管同样的性能提升效果，同时让晶体管密度得以大幅提高。
按照华为的规划，到2026年，其旗舰手机将搭载名为“Kirin 2026”的芯片，该芯片的性能预计将与采用EUV光刻机制造的3纳米芯片持平。进一步展望到2031年，即便不使用EUV光刻机，华为的麒麟系列芯片晶体管密度也将达到400MTr/mm²+的惊人水平，这相当于采用EUV光刻机下的1.4纳米工艺水准。
由此可见，芯片技术的未来并非只有一条路可选，EUV光刻机虽强大，却非万能。美国的施压，反而激发了我们的创新潜能，促使我们不断寻求突破，开拓更多可能的道路，这恐怕是美国始料未及的。
接下来，广受关注的是，华为的“韬定律”能否引领中国芯片产业改写全球格局。这个答案，无疑让许多人翘首以盼。
